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提拉法（CZ）单晶生长炉
- 关键字：
- 生长小于1英寸单晶、最高温度2100℃
- 型号：
- IMCS-2000-CZ
- 安博APP下载（中国）有限公司：
- IMCS-2000-CZ是一款小型的提拉法（CZ）晶体生长炉。可用于生长各种金属和氧化物单晶，所生长晶体的直径小于25mm。此设备最高温度可达2100℃，可用于生长Al2O3,GGG,YAG,LaAlO3,Si,Ge和各种金属单晶等。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称型号 |
提拉法（CZ）单晶生长炉 (生长小于1英寸单晶，最高温度2100℃）IMCS-2000-CZ |
| 技术参数 |
输入电压：380VAC，三相 感应加热最大输入电流50A 最大输出功率25KW |
| 真空腔体 |
真空腔体采用304不锈钢制作 真空腔体尺寸：Φ320×320mm 腔体门上有一石英窗口（Φ120mm）,用于观察材料熔化，种籽晶和长晶过程 一个KF25接口和一个KF40真空接口在腔体后端 LF160接口在腔体右侧，用于连接分子泵系统。 
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| 提拉机构 |
提拉机构采用精密伺服电机驱动 提拉速度：0.1-10mm/hr 提拉干旋转速度：0.1-23RPM 移动行程：0-300mm 提拉机构可快速移动35mm/min |
| 真空&气氛 |
真空腔体种可抽真空和通入惰性气氛 设备中配有一个数显防腐真空计（传感器上涂油陶瓷涂层），测量范围为10^-5 ~ 1000 torr 真空度：5 x 10-5 torr（采用分子泵系统） 5×10-2torr(采用机械泵） 可在本公司选购各种真空泵  
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| 感应加热 |
25KW（30-80KHz）感应电源，带有时间控制器和功率控制器 感应线圈：Φ90mm×80mmH 其他尺寸线圈可定制 设备需要：116L/min的循环水冷机 标配种不含温控系统，可选配温控系统，对熔炼温度进行控制 |
| 应用注意事项 |
    
熔化材料 籽晶种入到熔液 提拉开始 生长的氧化铝单晶 生长的Ni单晶
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| 设备尺寸 |
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