三温区1500℃ PECVD系统
型号:
OTF-1500X-III-4CV-PE-SL
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OTF-1500X-III-4CV-PE-SL是一款三温区1500℃的PECVD管式炉系统,该设备由射频电源、1500℃三温区管式炉、多通道质子混气系统和真空系统组成。此款PECVD系统可广泛应用于生长纳米线、石墨烯及薄膜材料领域。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
设备名称

三温区1500℃ PECVD系统—OTF-1500X-III-4CV-PE-SL (2019.11.14-科晶实验室审核)

产品提示

1、多种配件可选提示   2、特殊设备尺寸设备   3、科晶实验室邀请提示  4、配件妥善保管提示


产品特点

▪ 带有石英观察窗口的不锈钢真空密封法兰,便于观察等离子发光(图1);

▪ 射频电源可实现等离子增强,从而显著降低实验温度;

▪ 四通道质子流量计控制系统可以对气体的输送进行精确的调控; 

▪ 此款设备可安装控制模块,将温度设置和温度曲线导入到电脑(图2、3);

▪ 此款设备可选配控温精度为±0.1℃的欧陆仪表(图4)。


产品特点图1.JPG  产品特点图2.jpg       产品特点图3.PNG       图片1.png



基本参数

▪ 最高工作温度1500℃(<30min);连续使用温度1400℃;

▪ 三个PID温度控制器及30段可编程温控系统,控温精度:±1℃,带有超温和断偶保护;

▪ 输入电源: 208-240V,AC,单相;最大功率:6.6 KW;

▪ 内炉膛表面涂有美国进口的1760度高温氧化铝涂层,可以提高设备加热效率及反射率,同时延长仪器的使用寿命。(点击图片查看详细资料)

▪ 注意:此设备不标配炉管。购买前请与我们销售确定炉管相关事宜。


图片1.png      图片2.png



更多参数请联系科晶销售部

射频电源

▪ 科晶公司现有不同功率的射频电源可供选择,以满足不同实验条件的需求。


 

300W射频电源

500W射频电源

100W射频电源

输出功率

0-300W可调

(稳定性:±1%)

0-500W可调

(稳定性:±1%)

0-100W可调

(稳定性:±1%)

射频频率

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

13.56 MHz

(稳定性:±0.5%)

匹配

自动匹配

自动匹配

手动匹配

噪音

<50dB

<50dB

<50dB

冷却方式

风冷

风冷

风冷

输入电压

AC180-250V

AC108-250V

AC110-240V

图片

300W射频电源.jpg

500W射频电源.jpg

100W射频电源.png



真空系统

▪ 采用TRP-12的双旋真空泵;

▪ KF25卡箍及波纹管用于连接管式炉与真空泵;

▪ 真空度可达10-2Torr。

低真空系统.png


供气系统

▪ 四通道质子流量计控制系统可实现气体流量的精确控制(精确度:±0.02%);

▪ 流量范围:


一路

0-100 sccm

二路

0-200 sccm

三路

0-200 sccm

四路

0-500 sccm


▪ 电压:208-240V, AC, 50/60Hz;

▪ 气体进出口配件:6mm OD的聚四氟管或不锈钢管;

▪ 不锈钢针阀用于手动控制气体进出;

▪ PLC触摸屏可以简便地进行气体流量设置。


四通道质子图1.jpg  四路质子图2.png


产品尺寸和重量

▪ 炉体尺寸:550mm L ´380mm W´520mm H

▪ 炉体下端移动柜:1800mm L´600mm W´600mm H

▪ 净重:100 kg

▪ 运输重量:550 kg

认证

▪ 如您另外付费,我们可以保证单台仪器的TUV(UL61010)或CSA 认证


图片5.jpg


承诺

▪ 一年质保期,终身维护(不包括炉管、硅胶密封圈和加热元件)

科晶应用技术实验室利用PECVD在不同功率(75W、150W、300W)条件下沉积Sb2Se3薄膜,实验结果如下:


图片6.jpg



组别

SEM结果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

未经任何处理的样品

1.jpg

2.jpg

40.01

59.99

75W等离子体处理

5 min

3.jpg

4.jpg

41.04

58.96

150W等离子体处理

5 min

5.jpg

6.jpg

41.64

58.36

300 W等离子体处理

5 min

7.jpg

8.jpg

41.86

58.14


小结:

(1)等离子体能改变Sb2Se3薄膜的形貌,同时改变Sb2Se3的组成;

(2)随着射频电源功率的增加,Sb2Se3中的Se百分含量降低。




组别

SEM结果

元素百分比



Sb(%)

Se(%)

10W、3Pa条件下沉积Sb2Se3

9.jpg

10.jpg

40.01

59.99

75W、133Pa条件下沉积Sb2Se3

11.jpg

12.jpg

70.28

29.72

75W、3Pa且补充0.1g Se粉沉积Sb2Se3

13.jpg

14.jpg

43.13

56.87

75W、3Pa且补充0.02g SnSe2粉末(10%质量比Sb2Se3)沉积Sb2Se3

15.jpg

16.jpg

Sn: 22.78 Sb: 25.77

51.44


小结:

(1)低功率等离子体条件下可得到近原子比的Sb2Se3;

(2)高压条件下可得到富Sb的Sb2Se3薄膜;

(3)添加Se会破坏PECVD沉积的Sb2Se3的原子比;

(4)当SnSe2质量比为10%时,可以得到Sb:Sn摩尔比接近于1的薄膜,该方法适用于掺杂。



XRD结果


图片23.jpg


pecvd.png



警示

▪ 炉管内气压不可高于0.02 MPa;

▪ 由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀,建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全;

▪ 注意炉管的长期使用温度;

▪ 当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态。

应用技术提示

▪ 通入炉内气体流量需小于200 sccm,以避免冷的大气流对加热石英管造成冲击;

▪ 加热时,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02 MPa,需立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂、法兰飞出等)。


防腐型真空表(可选)

输入电源24V,1A  DC(配有电压转换器);

▪ 测量范围3.8´10-5-1125 Torr;

▪ 数据显示:数显(屏幕尺寸为20´14mm),其单位为torr

▪ 连接:1/8"NPT 接头

▪ 产品尺寸 46mm×28mm×126mm ( L´W´ H)


配件真空表.jpg

控温仪表(可选)

▪ 单回路、双回路和三回路控制模式;

▪ 每个回路可实现双输入,双保护;

▪ 各回路可PID、串级、比率等回路控制;

▪ 数码显示,配备7个按键,可用于进行各控制回路的切换和参数修改;

▪ 最多可存储50个程序,每个程序最多可有3个不同的设定值(即3条不同的曲线),最多可设置500段升降温程序;

▪ 通讯方式多样,Modbus/Profibus DP/DeviceNet/EI-Bisync/RS485通讯接口,可连接PC进行远程控制。

图片24.jpg

真空系统(可选)

▪ 科晶公司提供一系列低真空、高真空及进口高真空设备,以满足在不同真空条件下的实验需求。


低真空系统

国产高真空系统

进口高真空系统

低真空系统.png

高真空.jpg

进口高真空.png

供气系统(可选)

▪ 科晶公司提供各种通道浮子、质子流量计可供选择,以实现气体流量的精确控制。


单通道浮子

单通道质子

两通道浮子

两通道质子

多通道浮子(防腐)

1通道浮子.jpg

1通道质子.jpg

2通道浮子.JPG

2通道质子.jpg

3通道浮子(防腐).jpg


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