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CdSe晶体
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- 硒化镉单晶是一种重要的直接跃迁带隙II-VI族半导体材料,具有优异的光学和电学性能。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称 |
硒化镉(CdSe)晶体
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技术参数 |
晶体结构: | 六方晶系 | 晶格常数: | a= 4.2985 Å;c=7.015Å | 密度: | 5.81g/cm3 | 熔点: | 1240℃ | 折射率: | 2.42 | 带隙: | 1.74 eV | 电阻率: | 低阻(R<1 ohm-cm);高阻(R>10^6 ohm-cm) |
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产品规格 |
常规晶向: | (0001)、(10-10) | 晶向公差: | ±1° | 常规尺寸: | d10x10x1.0mm±0.1mm | 抛光情况: | 双抛 | 抛光面粗糙度: | 60/40 |
注:可按照客户要求加工尺寸及方向。
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晶体缺陷 |
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
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标准包装 |
1000级超净室,100级超净袋、插盒或单片盒封装 |
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