AlN晶体
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AlN单晶衬底是一种具有特殊性能的宽禁带半导体材料
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产品名称

AlN晶体

技术参数

晶体结构:

六方晶系

晶格常数:

a=3.112Å; C=4.982Å

密度:

3.23g/cm3

热导率:

285W/mk

可用区域:

> 80%

EPD:          

<1E5 cm-2                                         

吸收系数:       

<80 cm-1                                                 


产品规格

常规晶向:       

C平面(0001

晶向公差:

±1°

常规尺寸:

10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm                             

抛光情况:

双抛

抛光面粗糙度:

Al面:CMP抛光(RMS<0.8nm)      N面:光学抛光(RMS <3nm)     


摇摆曲线图

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